| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Тип транзистора | PNP |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 3V @ 800mA, 8A |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 5µA (ICBO) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 80 @ 1A, 5V |
| Частота – переход | 30MHz |
| Пакет устройств поставщика | TO-3P(N) |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 15 A |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 230 V |
| Мощность - Макс. | 130 W |