取消
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | TO-220-3 Full Pack |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Тип транзистора | NPN |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 1V @ 100mA, 1A |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 5µA (ICBO) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 5V |
| Частота – переход | 200MHz |
| Пакет устройств поставщика | TO-220NIS |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 2 A |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 180 V |
| Мощность - Макс. | 2 W |
