+86 15928527272
取消

A5G21H605W19NR3

Номер запчастей A5G21H605W19NR3
Классификация продукции РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель NXP Semiconductors
Описание RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4
Упаковка
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество 0
Состояние RoHS NO
Поделиться
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительNXP Semiconductors
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсOM-780-4S4S
Тип монтажаSurface Mount
Частота2.11GHz ~ 2.2GHz
Выходная мощность85W
Прирост15.1dB
ТехнологииGaN
Пакет устройств поставщикаOM-780-4S4S
Напряжение - номинальное125 V
Напряжение - Тест48 V
Текущий — Тест300 mA
Похожие модели 
A5G21H605W19N
恩智浦-NXP
2110-2200 MHz, 85 W Avg., 48 V Airfast® RF Power GaN Transistor

Panasonic Electronic Components
RES SMD 1.1K OHM 5% 1/8W 0805
Panasonic Electronic Components
RES SMD 2.4K OHM 5% 1/8W 0805
Panasonic Electronic Components
RES SMD 1.5K OHM 5% 1/8W 0805
Panasonic Electronic Components
RES SMD 3K OHM 5% 1/8W 0805
Panasonic Electronic Components
RES 68 OHM 5% 3W AXIAL
Panasonic Electronic Components
RES 560 OHM 5% 3W AXIAL
Panasonic Electronic Components
RES 5.1K OHM 5% 3W AXIAL
Panasonic Electronic Components
RES 43K OHM 5% 3W AXIAL
Panasonic Electronic Components
RES 47K OHM 5% 1W AXIAL
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA
关闭
Inquiry
captcha

+86 15928527272
0