取消
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Microsemi Corporation |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | DISCONTINUED |
| Пакет/кейс | SP3 |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Мощность - Макс. | 1250W |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 68A |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 17400pF @ 25V |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 34A, 10V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 616nC @ 10V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 5V @ 10mA |
| Пакет устройств поставщика | SP3 |
