取消
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Microsemi Corporation |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | SP1 |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Мощность - Макс. | 357W |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 14A |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 6696pF @ 25V |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 960mOhm @ 12A, 10V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 260nC @ 10V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Пакет устройств поставщика | SP1 |
