取消
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Microsemi Corporation |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | DISCONTINUED |
| Пакет/кейс | J3 Module |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 163A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 81.5A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1136W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 5V @ 10mA |
| Пакет устройств поставщика | Module |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±30V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 500 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 492 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 22400 pF @ 25 V |
