取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$1.7535
$1.7535
10
$1.4280
$14.2800
100
$1.1130
$111.3000
500
$0.9450
$472.5000
1000
$0.7665
$766.5000
2000
$0.7245
$1,449.0000
4800
$0.6930
$3,326.4000
9600
$0.6615
$6,350.4000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | DirectFET™ Isometric SB |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 5.8A (Ta), 21A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 13A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.4W (Ta), 30W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 5V @ 25µA |
| Пакет устройств поставщика | DIRECTFET SB |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 60 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 450 pF @ 25 V |
