取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$3.6645
$3.6645
10
$3.0765
$30.7650
100
$2.4885
$248.8500
500
$2.2155
$1,107.7500
1000
$1.9005
$1,900.5000
2000
$1.7850
$3,570.0000
4800
$1.7115
$8,215.2000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | NOT_FOR_NEW_DESIGNS |
| Пакет/кейс | DirectFET™ Isometric M4 |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 14A (Ta), 68A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 41A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 63W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4.9V @ 150µA |
| Пакет устройств поставщика | DirectFET™ Isometric M4 |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 60 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 2170 pF @ 25 V |
