取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$9.9540
$9.9540
10
$8.5260
$85.2600
100
$7.1085
$710.8500
500
$6.2685
$3,134.2500
1000
$5.6490
$5,649.0000
4000
$5.2920
$21,168.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | DirectFET™ Isometric L8 |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 19A (Ta), 114A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 68A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.3W (Ta), 100W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 5V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | DirectFET™ Isometric L8 |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 100 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 5660 pF @ 25 V |
