取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$2.4360
$2.4360
10
$2.0265
$20.2650
100
$1.6065
$160.6500
500
$1.3650
$682.5000
1000
$1.1550
$1,155.0000
2000
$1.1025
$2,205.0000
4800
$1.0605
$5,090.4000
9600
$1.0185
$9,777.6000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | DirectFET™ Isometric M2 |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 4.4A (Ta), 18A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 11A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.7W (Ta), 45W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 5V @ 100µA |
| Пакет устройств поставщика | DirectFET™ Isometric M2 |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 150 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1360 pF @ 25 V |
