取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$5.5125
$5.5125
10
$4.6305
$46.3050
100
$3.7485
$374.8500
500
$3.3285
$1,664.2500
1000
$2.8560
$2,856.0000
2000
$2.6880
$5,376.0000
4000
$2.6880
$10,752.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | DirectFET™ Isometric L6 |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 31A (Ta), 156A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 94A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.3W (Ta), 83W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4V @ 150µA |
| Пакет устройств поставщика | DIRECTFET L6 |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 40 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 134 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 5469 pF @ 25 V |
