取消
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | NXP Semiconductors |
| Ряд | TrenchMOS™ |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 190mA (Ta) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 150mA, 5V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 830mW (Ta) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Пакет устройств поставщика | TO-92-3 |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 5V |
| ВГС (Макс) | 20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 100 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 40 pF @ 10 V |
