Количество
Цены
Общая цена
1
$1.5435
$1.5435
10
$1.2600
$12.6000
100
$0.9765
$97.6500
500
$0.8295
$414.7500
1000
$0.6825
$682.5000
2000
$0.6405
$1,281.0000
5000
$0.6090
$3,045.0000
10000
$0.5775
$5,775.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | OptiMOS™ |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 25A (Ta), 40A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 20A, 10V |
| Особенность полевого транзистора | Schottky Diode (Body) |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | PG-TSDSON-8-FL |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 2600 pF @ 15 V |
