取消
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Texas Instruments |
| Ряд | NexFET™ |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | 9-UFBGA, DSBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 4A (Ta) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 2A, 4.5V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.5W (Ta) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | 9-DSBGA |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 1.8V, 4.5V |
| ВГС (Макс) | -6V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 20 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 5.6 nC @ 4.5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 510 pF @ 10 V |
