EPC2055 Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы_Chengdu retronic_интегральные схемы IC,резисторы_конденсаторы_потенциометры_трансформаторы

Номер запчастей：	EPC2055
Классификация продукции：	Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель：	EPC
Описание：	GANFET N-CH 40V 29A DIE
Упаковка：
Упаковка：	Лента и катушка (TR)
Количество：	34495
Состояние RoHS：	YES
Поделиться

Номер запчастей：

EPC2055

Классификация продукции：

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Производитель：

EPC

Описание：

GANFET N-CH 40V 29A DIE

Упаковка：

Лента и катушка (TR)

Количество：

34495

Состояние RoHS：

YES

Продукты параметры

PDF(1)

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	EPC
Ряд	eGaN®
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	Die
Тип монтажа	Surface Mount
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Технологии	GaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	29A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	3.6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 7mA
Пакет устройств поставщика	Die
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)	5V
ВГС (Макс)	+6V, -4V
Напряжение стока к источнику (Vdss)	40 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	8.5 nC @ 5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	1111 pF @ 20 V

Альтернативная модель

                                          EPC2055                                        

                                          宜普-EPC                                        

                                        40 V, 161 A增强型功率晶体管                                      

Похожие модели

EPC2059

宜普-EPC

170 V, 102 A增强型功率晶体管

EPC2051

宜普-EPC

100 V, 37 A Enhancement-Mode GaN Power Transistor

EPC2054

宜普-EPC

增强型功率晶体管

EPC2053

宜普-EPC