FBG10N05ASH Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы_Chengdu retronic_интегральные схемы IC,резисторы_конденсаторы_потенциометры_трансформаторы

Номер запчастей：	FBG10N05ASH
Классификация продукции：	Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель：	EPC Space
Описание：	GAN FET HEMT 100V 5A 4FSMD-A
Упаковка：
Упаковка：	Масса
Количество：	49
Состояние RoHS：	NO
Поделиться

Номер запчастей：

FBG10N05ASH

Классификация продукции：

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Производитель：

EPC Space

Описание：

GAN FET HEMT 100V 5A 4FSMD-A

Упаковка：

Масса

Количество：

Состояние RoHS：

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	EPC Space
Ряд	eGaN®
Упаковка	Масса
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	4-SMD, No Lead
Тип монтажа	Surface Mount
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Технологии	GaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	5A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	45mOhm @ 5A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 1.2mA
Пакет устройств поставщика	4-SMD
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)	5V
ВГС (Макс)	+6V, -4V
Напряжение стока к источнику (Vdss)	100 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	2.2 nC @ 5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	233 pF @ 50 V

ТИП

ОПИСАНИЕ

Производитель

EPC Space

Ряд

eGaN®

Упаковка

Масса

Статус продукта

ACTIVE

Пакет/кейс

4-SMD, No Lead

Тип монтажа

Surface Mount

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Технологии

GaNFET (Gallium Nitride)

Тип полевого транзистора

N-Channel

Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C

5A (Tc)

Rds включен (макс.) @ Id, Vgs

45mOhm @ 5A, 5V

Vgs(th) (Макс) @ Id

2.5V @ 1.2mA

Пакет устройств поставщика

4-SMD

Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)

ВГС (Макс)

+6V, -4V

Напряжение стока к источнику (Vdss)

100 V

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

2.2 nC @ 5 V

Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds

233 pF @ 50 V