GPI65015DFN Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы_Chengdu retronic_интегральные схемы IC,резисторы_конденсаторы_потенциометры_трансформаторы

Номер запчастей：	GPI65015DFN
Классификация продукции：	Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель：	GaNPower
Описание：	GANFET N-CH 650V 15A DFN 8X8
Упаковка：
Упаковка：	Лента и катушка (TR)
Количество：	180
Состояние RoHS：	NO
Поделиться

Номер запчастей：

GPI65015DFN

Классификация продукции：

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Производитель：

GaNPower

Описание：

GANFET N-CH 650V 15A DFN 8X8

Упаковка：

Лента и катушка (TR)

Количество：

180

Состояние RoHS：

Продукты параметры

PDF(1)

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	GaNPower
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	Die
Тип монтажа	Surface Mount
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Технологии	GaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	15A
Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 3.5mA
Пакет устройств поставщика	Die
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)	6V
ВГС (Макс)	+7.5V, -12V
Напряжение стока к источнику (Vdss)	650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	3.3 nC @ 6 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	116 pF @ 400 V

Альтернативная модель

                                          GPI65015DFN                                        

                                          量芯微-GaNPower                                        

                                        N-channel 650V 15A GaN Power HEMT in 8X8 DFN package                                      

                                          GPI65015DFNL                                        

                                          量芯微-GaNPower                                        

                                        N-channel 650V15A GaN Power HEMT in 8X8 DFN package                                      