GPI65030DFN Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы_Chengdu retronic_интегральные схемы IC,резисторы_конденсаторы_потенциометры_трансформаторы

Номер запчастей：	GPI65030DFN
Классификация продукции：	Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель：	GaNPower
Описание：	GANFET N-CH 650V 30A DFN8X8
Упаковка：
Упаковка：	Лента и катушка (TR)
Количество：	100
Состояние RoHS：	NO
Поделиться

Номер запчастей：

GPI65030DFN

Классификация продукции：

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Производитель：

GaNPower

Описание：

GANFET N-CH 650V 30A DFN8X8

Упаковка：

Лента и катушка (TR)

Количество：

100

Состояние RoHS：

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	GaNPower
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	Die
Тип монтажа	Surface Mount
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Технологии	GaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	30A
Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 3.5mA
Пакет устройств поставщика	Die
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)	6V
ВГС (Макс)	+7.5V, -12V
Напряжение стока к источнику (Vdss)	650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	5.8 nC @ 6 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	241 pF @ 400 V

ТИП

ОПИСАНИЕ

Производитель

GaNPower

Ряд

Упаковка

Лента и катушка (TR)

Статус продукта

ACTIVE

Пакет/кейс

Die

Тип монтажа

Surface Mount

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Технологии

GaNFET (Gallium Nitride)

Тип полевого транзистора

N-Channel

Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C

30A

Vgs(th) (Макс) @ Id

1.2V @ 3.5mA

Пакет устройств поставщика

Die

Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)

ВГС (Макс)

+7.5V, -12V

Напряжение стока к источнику (Vdss)

650 V

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

5.8 nC @ 6 V

Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds

241 pF @ 400 V