GPI90007DF88 Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы_Chengdu retronic_интегральные схемы IC,резисторы_конденсаторы_потенциометры_трансформаторы

Номер запчастей：	GPI90007DF88
Классификация продукции：	Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель：	GaNPower
Описание：	GaNFET N-CH 900V 7A DFN8x8
Упаковка：
Упаковка：	Лента и катушка (TR)
Количество：	665
Состояние RoHS：	YES
Поделиться

Номер запчастей：

GPI90007DF88

Классификация продукции：

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Производитель：

GaNPower

Описание：

GaNFET N-CH 900V 7A DFN8x8

Упаковка：

Лента и катушка (TR)

Количество：

665

Состояние RoHS：

YES

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	GaNPower
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	8-DFN
Тип монтажа	Surface Mount
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Технологии	GaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	7A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	225mOhm @ 1.4A, 6V
Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 3.5mA
Пакет устройств поставщика	8-DFN (8x8)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)	6V
ВГС (Макс)	+7.5V, -12V
Напряжение стока к источнику (Vdss)	900 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	2.1 nC @ 6 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	60 pF @ 400 V

ТИП

ОПИСАНИЕ

Производитель

GaNPower

Ряд

Упаковка

Лента и катушка (TR)

Статус продукта

ACTIVE

Пакет/кейс

8-DFN

Тип монтажа

Surface Mount

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Технологии

GaNFET (Gallium Nitride)

Тип полевого транзистора

N-Channel

Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C

Rds включен (макс.) @ Id, Vgs

225mOhm @ 1.4A, 6V

Vgs(th) (Макс) @ Id

1.2V @ 3.5mA

Пакет устройств поставщика

8-DFN (8x8)

Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)

ВГС (Макс)

+7.5V, -12V

Напряжение стока к источнику (Vdss)

900 V

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

2.1 nC @ 6 V

Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds

60 pF @ 400 V