取消
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Honeywell Aerospace |
| Ряд | HTMOS™ |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-CDIP Exposed Pad |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 100mA, 5V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 50W (Tj) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.4V @ 100µA |
| Пакет устройств поставщика | 8-CDIP-EP |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 5V |
| ВГС (Макс) | 10V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 55 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 4.3 nC @ 5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 290 pF @ 28 V |
