取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$1.5750
$1.5750
50
$1.2600
$63.0000
100
$1.0395
$103.9500
500
$0.8820
$441.0000
1000
$0.7455
$745.5000
2000
$0.7140
$1,428.0000
5000
$0.6825
$3,412.5000
10000
$0.6615
$6,615.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | NOT_FOR_NEW_DESIGNS |
| Пакет/кейс | TO-220-3 |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 85A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 43A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 180W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | TO-220AB |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 55 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 3210 pF @ 25 V |
