取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$2.2260
$2.2260
10
$1.8480
$18.4800
100
$1.4700
$147.0000
800
$1.2390
$991.2000
1600
$1.0500
$1,680.0000
2400
$0.9975
$2,394.0000
5600
$0.9660
$5,409.6000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 180A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 75A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 200W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4V @ 150µA |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO263-3 |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 40 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 4340 pF @ 25 V |
