取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$2.3940
$2.3940
10
$1.9845
$19.8450
100
$1.5855
$158.5500
800
$1.3335
$1,066.8000
1600
$1.1340
$1,814.4000
2400
$1.0815
$2,595.6000
5600
$1.0395
$5,821.2000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 43A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 22A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 150 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 200 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 2400 pF @ 25 V |
