取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$1.5960
$1.5960
10
$1.3230
$13.2300
100
$1.0605
$106.0500
800
$0.8925
$714.0000
1600
$0.7560
$1,209.6000
2400
$0.7245
$1,738.8000
5600
$0.6930
$3,880.8000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 31A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 16A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.8W (Ta), 110W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 55 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1200 pF @ 25 V |
