取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$1.6275
$1.6275
50
$1.3125
$65.6250
100
$1.0815
$108.1500
500
$0.9135
$456.7500
1000
$0.7770
$777.0000
2000
$0.7350
$1,470.0000
5000
$0.7035
$3,517.5000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 33A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 44mOhm @ 16A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 130W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | TO-262 |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 100 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1960 pF @ 25 V |
