取消
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 27A (Ta) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 2.45mOhm @ 27A, 4.5V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 1.1V @ 100µA |
| Пакет устройств поставщика | 8-SO |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 2.5V, 4.5V |
| ВГС (Макс) | ±12V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 20 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 195 nC @ 4.5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 8555 pF @ 16 V |
