取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$1.2285
$1.2285
50
$0.9870
$49.3500
100
$0.7875
$78.7500
500
$0.6615
$330.7500
1000
$0.5460
$546.0000
2000
$0.5145
$1,029.0000
5000
$0.4830
$2,415.0000
10000
$0.4620
$4,620.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | NOT_FOR_NEW_DESIGNS |
| Пакет/кейс | TO-220-3 |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 18A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 11A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 150W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | TO-220AB |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 200 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1160 pF @ 25 V |
