取消
Количество
Цены
Общая цена
1000
$1.2810
$1,281.0000
2000
$1.2180
$2,436.0000
5000
$1.1655
$5,827.5000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | DirectFET™ Isometric MQ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 12A (Ta), 49A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 11.5mOhm @ 12A, 7V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.3W (Ta), 42W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | DIRECTFET™ MQ |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 7V |
| ВГС (Макс) | ±12V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 26 nC @ 4.5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 2270 pF @ 15 V |
