取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$2.5200
$2.5200
10
$2.1000
$21.0000
100
$1.6695
$166.9500
500
$1.4070
$703.5000
1000
$1.1970
$1,197.0000
2000
$1.1340
$2,268.0000
4800
$1.0920
$5,241.6000
9600
$1.0605
$10,180.8000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | DirectFET™ Isometric MT |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 23A (Ta), 150A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 23A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.25V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | DIRECTFET™ MT |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 40 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 63 nC @ 4.5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 5950 pF @ 15 V |
