取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$2.2680
$2.2680
10
$1.8900
$18.9000
100
$1.5015
$150.1500
500
$1.2705
$635.2500
1000
$1.0815
$1,081.5000
2000
$1.0290
$2,058.0000
4800
$0.9870
$4,737.6000
9600
$0.9555
$9,172.8000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | DirectFET™ Isometric MZ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 6.2A (Ta), 35A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 34.5mOhm @ 7.6A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4.9V @ 150µA |
| Пакет устройств поставщика | DIRECTFET™ MZ |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 150 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 2340 pF @ 25 V |
