取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$3.0450
$3.0450
10
$2.5305
$25.3050
100
$2.0160
$201.6000
500
$1.7010
$850.5000
1000
$1.4490
$1,449.0000
2000
$1.3755
$2,751.0000
4800
$1.3230
$6,350.4000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | DirectFET™ Isometric MN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 10.3A (Ta), 60A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 10.3A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4.8V @ 150µA |
| Пакет устройств поставщика | DIRECTFET™ MN |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 100 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 2210 pF @ 25 V |
