取消
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | DirectFET™ Isometric SJ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 5.7A (Ta), 25A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 5.7A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3W (Ta), 42W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4.9V @ 50µA |
| Пакет устройств поставщика | DIRECTFET™ SJ |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 100 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 890 pF @ 25 V |
