取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$2.9925
$2.9925
10
$2.4885
$24.8850
100
$1.9845
$198.4500
500
$1.6800
$840.0000
1000
$1.4175
$1,417.5000
2000
$1.3545
$2,709.0000
4800
$1.2600
$6,048.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | DirectFET™ Isometric MN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 12A (Ta), 68A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 12A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4.9V @ 150µA |
| Пакет устройств поставщика | DIRECTFET™ MN |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 80 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 2060 pF @ 25 V |
