取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$2.3940
$2.3940
10
$1.9845
$19.8450
100
$1.5855
$158.5500
500
$1.3440
$672.0000
1000
$1.1340
$1,134.0000
2000
$1.0815
$2,163.0000
4800
$1.0395
$4,989.6000
9600
$1.0080
$9,676.8000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | DirectFET™ Isometric MN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 86A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 17A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4.9V @ 150µA |
| Пакет устройств поставщика | DIRECTFET™ MN |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 60 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 2120 pF @ 25 V |
