取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$1.1655
$1.1655
10
$0.9975
$9.9750
100
$0.8505
$85.0500
500
$0.8295
$414.7500
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Разрезанная лента (CT) |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | DirectFET™ Isometric S1 |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 17A (Ta), 63A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 17A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.8W (Ta), 26W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Пакет устройств поставщика | DirectFET™ Isometric S1 |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 25 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 20 nC @ 4.5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1810 pF @ 13 V |
