取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$2.9295
$2.9295
10
$2.4675
$24.6750
100
$1.9950
$199.5000
500
$1.7745
$887.2500
1000
$1.5120
$1,512.0000
2000
$1.4280
$2,856.0000
4800
$1.3650
$6,552.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | DirectFET™ Isometric MX |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 38A (Ta), 200A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 1.25mOhm @ 38A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.8W (Ta), 96W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.35V @ 150µA |
| Пакет устройств поставщика | DIRECTFET™ MX |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 25 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 69 nC @ 4.5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 6750 pF @ 13 V |
