取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$2.6145
$2.6145
10
$2.1735
$21.7350
100
$1.7220
$172.2000
500
$1.4595
$729.7500
1000
$1.2390
$1,239.0000
2000
$1.1760
$2,352.0000
4800
$1.1340
$5,443.2000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | DirectFET™ Isometric MX |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 32A (Ta), 180A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 32A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.35V @ 100µA |
| Пакет устройств поставщика | DIRECTFET™ MX |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 74 nC @ 4.5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 6190 pF @ 15 V |
