取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$1.0185
$1.0185
10
$0.8295
$8.2950
100
$0.6510
$65.1000
500
$0.5460
$273.0000
1000
$0.4515
$451.5000
2000
$0.4200
$840.0000
4000
$0.4200
$1,680.0000
8000
$0.3990
$3,192.0000
12000
$0.3780
$4,536.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 10A (Ta) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 5.6A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 1V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | 8-SO |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 92 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1700 pF @ 25 V |
