| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | DISCONTINUED |
| Пакет/кейс | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Конфигурация | N and P-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Мощность - Макс. | 1.25W |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 20V |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 2.4A, 1.7A |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 260pF @ 15V |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 1.7A, 4.5V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 8nC @ 4.5V |
| Особенность полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 700mV @ 250µA (Min) |
| Пакет устройств поставщика | Micro8™ |