取消
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Конфигурация | 2 P-Channel (Dual) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Мощность - Макс. | 1W |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 12V |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 4.3A |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1400pF @ 10V |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 4.3A, 4.5V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| Особенность полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | 8-TSSOP |
