取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$6.5730
$6.5730
10
$5.5230
$55.2300
100
$4.4625
$446.2500
500
$3.9690
$1,984.5000
1000
$3.4020
$3,402.0000
2000
$3.2025
$6,405.0000
4000
$3.2025
$12,810.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | DirectFET™ Isometric L8 |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 67A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 40A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.3W (Ta), 125W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 5V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | DirectFET™ Isometric L8 |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 150 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 6660 pF @ 25 V |
