取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$1.8165
$1.8165
10
$1.5120
$15.1200
100
$1.1970
$119.7000
500
$1.0185
$509.2500
1000
$0.8610
$861.0000
2000
$0.8190
$1,638.0000
4000
$0.8190
$3,276.0000
8000
$0.7875
$6,300.0000
12000
$0.7665
$9,198.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 18A (Ta) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 17A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.25V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | 8-SO |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 40 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 50 nC @ 4.5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 4500 pF @ 20 V |
