取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$1.4700
$1.4700
10
$1.2075
$12.0750
100
$0.9345
$93.4500
500
$0.7875
$393.7500
1000
$0.6405
$640.5000
2000
$0.6090
$1,218.0000
4000
$0.6090
$2,436.0000
8000
$0.5775
$4,620.0000
12000
$0.5565
$6,678.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 8.3A (Ta) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 8.3A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4.9V @ 100µA |
| Пакет устройств поставщика | 8-SO |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 100 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1640 pF @ 25 V |
