取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$1.6275
$1.6275
10
$1.3440
$13.4400
100
$1.0710
$107.1000
500
$0.9030
$451.5000
1000
$0.7665
$766.5000
2000
$0.7350
$1,470.0000
4000
$0.7350
$2,940.0000
8000
$0.7035
$5,628.0000
12000
$0.6825
$8,190.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 10A (Ta) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 13.4mOhm @ 10A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4.9V @ 100µA |
| Пакет устройств поставщика | 8-SO |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 80 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1620 pF @ 25 V |
