取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$1.8375
$1.8375
10
$1.5225
$15.2250
100
$1.2180
$121.8000
500
$1.0290
$514.5000
1000
$0.8715
$871.5000
2000
$0.8295
$1,659.0000
4000
$0.8295
$3,318.0000
8000
$0.7980
$6,384.0000
12000
$0.7665
$9,198.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 12A (Ta) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 9.4mOhm @ 12A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4.9V @ 100µA |
| Пакет устройств поставщика | 8-SO |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 60 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1560 pF @ 25 V |
