取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$1.2390
$1.2390
10
$1.0185
$10.1850
100
$0.7875
$78.7500
500
$0.6720
$336.0000
1000
$0.5460
$546.0000
2000
$0.5145
$1,029.0000
4000
$0.5145
$2,058.0000
8000
$0.4935
$3,948.0000
12000
$0.4620
$5,544.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 21A (Ta) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 20A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.35V @ 100µA |
| Пакет устройств поставщика | 8-SO |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 45 nC @ 4.5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 4090 pF @ 15 V |
