取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$0.9870
$0.9870
10
$0.8085
$8.0850
100
$0.6300
$63.0000
500
$0.5355
$267.7500
1000
$0.4305
$430.5000
2000
$0.4095
$819.0000
4000
$0.4095
$1,638.0000
8000
$0.3885
$3,108.0000
12000
$0.3675
$4,410.0000
28000
$0.3675
$10,290.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Мощность - Макс. | 2W |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 20V |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 10A |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 960pF @ 10V |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 13.4mOhm @ 10A, 10V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Особенность полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.55V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | 8-SO |
