取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$1.6800
$1.6800
10
$1.3755
$13.7550
100
$1.0710
$107.1000
500
$0.9135
$456.7500
1000
$0.7350
$735.0000
2000
$0.6930
$1,386.0000
4000
$0.6930
$2,772.0000
8000
$0.6615
$5,292.0000
12000
$0.6300
$7,560.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 20A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 20A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.4V @ 100µA |
| Пакет устройств поставщика | 8-SO |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 165 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 5250 pF @ 15 V |
