取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$2.6460
$2.6460
50
$2.1315
$106.5750
100
$1.7535
$175.3500
500
$1.4805
$740.2500
1000
$1.2600
$1,260.0000
2000
$1.1970
$2,394.0000
5000
$1.1445
$5,722.5000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | NOT_FOR_NEW_DESIGNS |
| Пакет/кейс | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 23A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 117mOhm @ 14A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.1W (Ta), 110W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | TO-262 |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 100 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1450 pF @ 25 V |
