Количество
Цены
Общая цена
1
$1.2600
$1.2600
50
$1.0080
$50.4000
100
$0.7980
$79.8000
500
$0.6825
$341.2500
1000
$0.5565
$556.5000
2000
$0.5145
$1,029.0000
5000
$0.4935
$2,467.5000
10000
$0.4725
$4,725.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | NOT_FOR_NEW_DESIGNS |
| Пакет/кейс | TO-220-3 |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 80A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 46A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 140W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4V @ 100µA |
| Пакет устройств поставщика | TO-220AB |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 75 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 84 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 3070 pF @ 50 V |
